在追求更高性能、更小尺寸和更低功耗的半导体行业浪潮中，三维集成技术已成为推动摩尔定律持续前行的关键路径。在众多3D封装方案中，根据集成方式和工艺顺序的不同，衍生出了几种主流的先进封装技术，它们以其独特的结构和流程，共同支撑起现代异构计算的宏伟蓝图。
PoP：Package-on-Package Assembly/堆叠封装
实现 3D 集成的较简单方案之一，是将已完成封装的芯片进行堆叠。这类方案的技术名称中通常包含 “PoP”（即 “封装堆叠”）。该技术的一个典型应用场景是将 DRAM 芯片堆叠在逻辑芯片上方，台积电（TSMC）的 InFO 封装技术中，就包含此类堆叠方案。
CoW：Chip on Wafer Assembly/晶圆级芯片集成
在封装中实现芯片互连的早期方案之一，是采用晶圆作为载体，并在其上制作重布线层（RDL），台积电将该技术品牌化为 “CoW”（晶圆级芯片集成）。以下介绍两种典型的组装流程方案：
第一种方案的流程为：先在载体晶圆上制作重布线层（RDL），再将预先切割好的芯片（焊凸朝下）放置在载体上；随后对芯片进行塑封，形成 “重构晶圆”（reconstituted wafer）；之后移除载体晶圆，制作焊球，最后对重构晶圆进行切割（ singulate），得到独立封装体。
另一种方案的流程则不同：先将芯片倒扣在载体晶圆上，再进行塑封；移除载体晶圆后，制作重布线层与焊球；最后对重构晶圆进行切割，完成封装。
英特尔（Intel）的 Foveros 工艺是该技术的另一变体，主要用于实现两颗芯片（或一颗芯片与一个有源中介层）的面对面键合。其中，下方芯片需朝上放置，并通过硅通孔（TSV）与基板实现连接。
加入中介层（Adding Interposers）
前文介绍的方案仅通过重布线层（RDL）实现信号向焊球的布线。若在封装中加入中介层，则能进一步提升布线灵活性。台积电的 CoWoS（晶圆级系统集成封装）是最知名的案例之一，该技术根据中介层的类型分为三个变体：
CoWoS-S：采用硅中介层；
CoWoS-R：采用有机材料制作重布线层（无独立中介层，以有机 RDL 替代中介层功能）；
CoWoS-L：采用小型芯片作为 “布线载体”—— 其结构类似硅桥（silicon bridge），但额外具备通向基板的通孔（vias），可直接与基板连接。
总结：
从简单的封装堆叠（PoP），到以晶圆为载体的芯片集成（CoW），再到引入中介层以极致发挥布线潜力的CoWoS技术，先进封装的演进清晰地展示了一条从二维到三维、从单一到异构的系统级整合路径。这些技术不仅突破了传统封装的物理限制，更通过灵活的芯片组合，为未来算力提供了无限可能。它们共同构成了半导体产业的下一个前沿，预示着电子系统性能与集成度的新纪元。
